专利摘要显示,本申请涉及一种异质结太阳能电池、光伏组件及光伏系统。该异质结太阳能电池包括衬底,衬底相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和第一透明导电层;异质结太阳能电池还包括金属线层和第二透明导电层,金属线层和第二透明导电层均设置于衬底的至少一侧,金属线层位于对应侧的第一透明导电层背离衬底的一侧,第二透明导电层位于金属线层背离衬底的一侧。如此,可在降低异质结太阳能电池的铟耗量的同时,使得异质结太阳能电池保持较高的转化效率,利于异质结太阳能电池的发展。
据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“异质结太阳能电池、光伏组件及光伏系统“,公开号CN117747681A,申请日期为2023年12月。